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磁控溅射技术近年来生长很快，其代表要领有平衡磁控溅射、反应磁控溅射、中频磁控溅射和高能量脉冲磁控溅射等。
溅射镀膜工艺主要是将需要镀膜的质料制备成靶板，牢固于溅射镀膜系统的阴极上，所述靶板的基片置于正对靶外貌的阳极上。溅射系统抽到高真空后充入氩气等，使阴极与阳极之间爆发高压负载，阴阳极之间爆发低压辉光放电。由放电爆发的等离子体中，氩气正离子在电场的作用下向阴极运动，与目标外貌爆发碰撞，被碰撞而溅射的目标原子被称为溅射原子，溅射原子的能量一般在一至几十电子伏规模内，溅射原子先在基底外貌沉积，然后形成膜。溅射膜是指用低气压辉光放电爆发的氩气正离子对阴极靶进行高速度的电场轰击，溅射靶内的原子或分子等粒子，使之沉积到基片或工件外貌，从而形成所需的薄膜层。但在镀膜历程中，溅射出的微粒能量很低，成膜率较低。
磁控制溅射是获得高质量镀膜技术中应用最为广泛的工艺，新型阴极的应用使其具有较高的靶材利用率和较高的沉积速率，真空磁控制溅射镀膜工艺目前广泛应用于大面积基材的镀膜中。本要领不但可用于单层膜的沉积，也可用于多层膜的镀制，也可用于包覆膜、光学膜、贴膜等的包覆工艺。
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